采用40nm工艺,单芯片集成RF、PMU、CODEC、CPU;支持前馈或反馈主动降噪,支持TWS。
采用28nm工艺,功耗水平更低;单芯片集成RF、PMU、CODEC、高性能CPU及嵌入式语音AI;支持智能语音和混合主动降噪,支持IBRT真无线技术。
采用40nm工艺,单芯片全集成USB 2.0 HS/FS接口、高性能CODEC和耳机功放;支持前馈或混合主动降噪。
已完成
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